[发明专利]射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备有效
| 申请号： | 201810392841.X | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110416047B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 韦刚;卫晶;杨京 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了射频阻抗匹配的方法、装置和设备。包括：S110、扫频匹配阶段；S120、扫频保持阶段；S110包括循环执行至少一次下述步骤：S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；当匹配时，执行S120，不匹配时，执行S113；S113、下一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；S120包括：后续脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源停止扫频，并保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数。能够快速扫频至与目标扫频参数相匹配，有效保证脉冲等离子体顺利点火。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 阻抗匹配 方法 装置 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种射频阻抗匹配的方法，射频包括多个脉冲周期，各所述脉冲周期包括多个脉冲阶段，其特征在于，所述方法包括：步骤S110、扫频匹配阶段；步骤S120、扫频保持阶段；其中；所述步骤S110包括循环执行至少一次下述步骤：步骤S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；步骤S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，执行步骤S120，不匹配时，执行步骤S113；步骤S113、下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；所述步骤S120包括：步骤S121、后续脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源停止扫频，并且，该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。
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