[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810393464.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807659A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 小川洋平;飞冈孝明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更可靠地抑制向磁感受部的耗尽层的扩展而减少了特性偏差的霍尔元件的半导体装置。一种半导体装置，具有：第一导电型的半导体基板；以及在半导体基板上设置的霍尔元件，霍尔元件具备：在半导体基板上与半导体基板分离设置的第二导电型的磁感受部；以及在半导体基板上以包围磁感受部的侧面和底面的方式设置而比磁感受部低浓度且浓度分布固定的第二导电型的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 半导体装置 霍尔元件 导电型 半导体层 方式设置 分离设置 浓度分布 特性偏差 固定的 耗尽层 包围 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：第一导电型的半导体基板；以及在所述半导体基板上设置的霍尔元件，所述半导体装置的特征在于，所述霍尔元件具备：在所述半导体基板上与所述半导体基板分离设置的第二导电型的磁感受部；以及在所述半导体基板上以包围所述磁感受部的侧面和底面的方式设置而比所述磁感受部低浓度且浓度分布固定的第二导电型的半导体层。
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