[发明专利]一种双栅MOSFET结构在审
| 申请号： | 201810398766.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108767011A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭宇锋;张茂林;童祎;陈静;李曼 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种双栅MOSFET结构，包括：呈渐变厚度的沟道区，沟道区的厚度小的一侧设有源区，其厚度大的一侧设有漏区，源区远离沟道区的侧边设有源极，漏区远离沟道区的侧边设有漏极；相连的沟道区、源区和漏区的上、下表面分别覆盖第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层覆盖沟道区的部分的上表面设有第一栅极，第二栅氧层覆盖沟道区的部分的下表面设有第二栅极，第一栅极和第二栅极构成双栅结构。本发明所提供的器件结构既能有效地抑制短沟道效应，又能提高电流驱动能力，减小漏区的电场峰值；且工艺步骤相对简单，可与现有CMOS工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 栅氧层 漏区 源区 下表面 侧边 双栅 覆盖 电流驱动能力 短沟道效应 电场 工艺步骤 器件结构 双栅结构 上表面 有效地 渐变 减小 漏极 源极 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种双栅MOSFET结构，其特征在于，包括：呈渐变厚度的沟道区，所述沟道区的厚度小的一侧设有源区，其厚度大的一侧设有漏区，所述源区远离沟道区的侧边设有源极，所述漏区远离沟道区的侧边设有漏极；相连的所述沟道区、所述源区和所述漏区的上、下表面分别覆盖第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述沟道区的部分的上表面设有第一栅极，所述第二栅氧层覆盖所述沟道区的部分的下表面设有第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极构成双栅结构。
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