[发明专利]具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810398867.5 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493240B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李聪;闫志蕊;庄奕琪;赵小龙;郭嘉敏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/165;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)，采用锗半导体材料；栅区(5)，采用Z型结构，且采用长度为3nm～9nm的栅覆盖在源区上；漏区(6)在靠近栅区(5)的一侧设有轻掺杂漏区。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 结构 型异质结隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管，包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅区(5)位于沟道区(4)的上侧，其特征在于：所述源区(3)，采用锗半导体材料，所述栅区(5)，采用Z型结构，该栅区的3nm～9nm长度覆盖在源区(3)上；所述漏区(6)，在靠近栅区(5)的一侧设有轻掺杂漏区。
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