[发明专利]一种耗尽型行波硅基马赫增德尔电光调制器在审
| 申请号： | 201810399578.7 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108681109A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 周治平;李田甜;孙晖 | 申请（专利权）人： | 北京协同创新研究院 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽型行波硅基马赫增德尔电光调制器，该电光调制器的波导结构在GSGSG的行波电极的各地线和信号线的各个间隙中穿过，对每一分光进行至少一次调制，充分利用了行波电极结构。与现有的每一束分光仅进行一次调制，调制区域的长度为行波电极长度的电光调制器相比，本实施例提供的电光调制器在电光调制器整体尺寸未增加的条件下，提高了耗尽型硅基电光调制器调制区的调制效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电光调制器 耗尽型 行波电极 次调制 硅基 行波 硅基电光调制器 行波电极结构 波导结构 调制区域 调制效率 调制区 信号线 分光 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种耗尽型行波硅基马赫增德尔电光调制器，其特征在于，包括行波电极、波导结构、第一耦合器和第二耦合器；所述行波电极包括第一地线，在所述第一地线的一侧沿着第一方向依次设置的第一信号线和第二地线，以及在所述第一地线的另一侧沿着第二方向依次设置的第二信号线和第三地线；所述波导结构为连接第一耦合器输出端和第二耦合器输入端并且在行波电极的各地线和信号线的各个间隙中穿过的波导结构。
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