[发明专利]一种搪瓷钢基薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201810401535.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110429150A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 聂曼;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种搪瓷钢基薄膜太阳能电池，包括：搪瓷钢基底；以及所述搪瓷钢基底上方依次设置的吸收层和窗口层；其中，所述搪瓷钢基底的厚度不超过1.5mm。本发明的公开的搪瓷钢基薄膜太阳能电池中，采用搪瓷钢作为基底，可以从根本上解决高温制备CIGS吸收层时基底中的碱性元素向CIGS层扩散的问题，降低电势诱导衰减效应(PID)；搪瓷钢基底耐高温，可以增加CIGS吸收层制备温度获得性能优良的吸收层；搪瓷钢基底在CIGS工艺腔中升温和降温的速率快，可以减少CIGS工艺腔的尺寸，降低设备的成本；并且搪瓷钢基底在电池生产过程中，无破片风险，降低的了生产过程的损失，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 搪瓷钢 基底 吸收层 太阳能电池 基薄膜 工艺腔 电池生产过程 节约生产成本 高温制备 碱性元素 降低设备 生产过程 衰减效应 依次设置 窗口层 耐高温 电势 破片 时基 制备 诱导 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种搪瓷钢基薄膜太阳能电池，包括：搪瓷钢基底；以及所述搪瓷钢基底上方依次设置的吸收层和窗口层；其中，所述搪瓷钢基底的厚度不超过1.5mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810401535.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种HJT电池片和HJT组件制备方法
- 下一篇：一种太阳能组件的封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
