[发明专利]一种光子晶体全光二极管有效
申请号: | 201810407519.X | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108761639B | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 张娟;王鹏翔 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02F1/095;G02F1/35;G02F1/365 |
代理公司: | 31205 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 陆聪明 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及光子晶体全光二极管,其由包含单层克尔非线性介质的不对称的一维光子晶体构成,非线性介质两侧为周期交替的常规薄膜介质和对外加磁场敏感的磁光介质。基于大于阈值光强时非线性光谱响应的多值双稳态特征及结构的空间不对称性,实现正向入射高透射而反向入射截止的单向传输的光二极管特性。通过调节输入光强和(或)外加磁场大小,可以实现全光二极管单向传输区域的波长范围的灵活调谐。本发明的全光二极管具有结构简单、易于实现、透射率高,波长范围大、且可灵活调谐等的突出优点。 | ||
搜索关键词: | 全光二极管 调谐 非线性介质 单向传输 光子晶体 波长 入射 一维光子晶体 双稳态特征 不对称性 常规薄膜 磁光介质 光二极管 光谱响应 时非线性 输入光强 外加磁场 周期交替 不对称 高透射 透射率 灵活 单层 光强 正向 磁场 截止 敏感 | ||
【主权项】:
1.一种光子晶体全光二极管,整个结构关于内部非线性光学介质D是不对称的;其特征在于:输入光束垂直入射光学介质层,沿输入光束前进的方向依次为:周期性交替结构的光学介质A和光学介质B,其周期数为M;光学介质D;周期性交替结构的光学介质B和光学介质A,其周期数为N;及周期性交替结构的光学介质A和光学介质B,其周期数为L。/n
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