[发明专利]像素结构及其制备方法、显示器件有效
申请号: | 201810410868.7 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN110112173B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 陈亚文;史文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 万志香 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种像素结构及其制备方法、显示器件。该像素结构包括多个像素单元,每个像素单元包括:衬底;多个像素电极,各像素电极间隔分布于衬底上,每个像素电极对应于一个子像素;像素界定层,设置于衬底上,像素界定层开设有墨水沉积坑,相邻同色子像素的像素电极位于同一墨水沉积坑中,相邻异色子像素的像素电极被像素界定层隔离;及隔离层,设置于衬底上且位于墨水沉积坑中,隔离层靠近衬底一侧的宽度小于隔离层远离衬底一侧的宽度,隔离层将相邻同色子像素的像素电极隔断,且阻止被隔断的像素电极靠近隔离层的一侧形成尖端结构。上述像素结构的结构简单、成本较低、能够避免尖端放电且能够用于制作分辨率较高的显示器件。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括多种颜色的子像素,其特征在于,每个所述像素单元包括:衬底;多个像素电极,各所述像素电极间隔分布于所述衬底上,每个所述像素电极对应于一个所述子像素;像素界定层,设置于所述衬底上,所述像素界定层开设有墨水沉积坑,相邻的同色子像素的所述像素电极位于同一所述墨水沉积坑中,相邻的异色子像素的所述像素电极被所述像素界定层隔离;及隔离层,设置于所述衬底上,且位于所述墨水沉积坑中,所述隔离层靠近所述衬底一侧的宽度小于所述隔离层远离所述衬底一侧的宽度,所述隔离层将相邻的同色子像素的所述像素电极隔断,且阻止被隔断的所述像素电极靠近所述隔离层的一侧形成尖端结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的