[发明专利]一种双层石墨烯插层化合物的制备方法在审
| 申请号： | 201810411872.5 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108314025A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 苗中正 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双层石墨烯插层化合物的制备方法。利用氯化碘作为插层剂得到二阶石墨插层化合物，对二阶石墨插层化合物高温处理，氯化碘分解产生气体剥离石墨片层得到双层高质量石墨烯材料，利用三氯化铁等作为插层剂，运用熔融盐法对双层高质量石墨烯进行插层，得到双层石墨烯插层化合物。本发明方法，利用双层石墨烯的可控制备，得到双层石墨烯插层化合物，插层剂的存在使得层间距增大，插层剂也会让片层的自由载流子发生迁移，从而获得不同的电学、热学和磁学等性质。以双层石墨烯为基础的石墨烯插层化合物克服了传统的石墨插层化合物尺寸太大的缺点，可应用在新型微纳电子、透明电极、高频晶体管等器件的制造方面。 | ||
| 搜索关键词： | 双层石墨 插层化合物 插层剂 石墨插层化合物 氯化碘 石墨烯 二阶 片层 制备 分解产生气体 高频晶体管 石墨烯材料 自由载流子 剥离石墨 高温处理 熔融盐法 三氯化铁 透明电极 电学 层间距 传统的 可控制 纳电子 插层 热学 迁移 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种双层石墨烯插层化合物的制备方法，包括如下步骤：(1)利用氯化碘作为插层剂得到二阶石墨插层化合物，对二阶石墨插层化合物高温处理，氯化碘分解产生气体剥离石墨片层得到双层高质量石墨烯材料；(2)利用三氯化铁等作为插层剂，运用熔融盐法对双层高质量石墨烯进行插层，得到双层石墨烯插层化合物。
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