[发明专利]一种三原子层高质量石墨烯材料的亚临界反应制备方法有效
| 申请号： | 201810411874.4 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108314026B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;曹志轩 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三原子层高质量石墨烯的亚临界制备方法。利用溴化碘作为插层剂制备三阶石墨插层化合物，然后将三阶石墨插层化合物置于亚临界水的环境中，插层剂溴化碘溶于水并与水在石墨层间发生剧烈反应，与亚临界水环境的高压渗透作用共同作用于石墨片层，剥离得到三原子层厚度的石墨烯材料。本发明采用的亚临界反应温度在100～240℃之间，适于工业或实验室操作，反应迅速，适合制备大片层三原子层厚度的石墨烯材料，可用于透明导电薄膜、储能器件与超导等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 层高 质量 石墨 材料 临界 反应 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三原子层高质量石墨烯的亚临界制备方法，包括如下步骤：(1)将溴化碘与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物；(2)使三阶石墨插层化合物在亚临界水中进行反应，从而高效制备三原子层高质量石墨烯。
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