[发明专利]一种非易失性阻变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 201810413272.2 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108417711A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 崔敏娟 | 申请（专利权）人： | 无锡智高点技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：利用磁控溅射法于PET衬底上沉积一层ITO(氧化铟锡)薄膜；制备PVK(聚乙烯咔唑)包埋ZnO纳米粒子溶液；利用旋涂法将所述PVK包埋ZnO纳米粒子溶液涂覆于所述ITO薄膜，得到PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜；采用真空蒸镀法于所述PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜上沉积顶电极。本发明中非易失性阻变存储器的制备方法，采用旋涂法将PVK包埋ZnO纳米粒子溶液涂覆于ITO薄膜上，所得到的ZnO纳米粒子能够在PVK中均匀分散，均匀分散的ZnO纳米粒子会使得器件的阻变特性稳定，且不易发生薄膜被击穿的现象。并且使用柔性PET衬底得到的非易失性阻变存储器，能够承受较高的弯曲应变而不会产生裂纹或断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 包埋 非易失性阻变存储器 制备 纳米粒子溶液 纳米粒子薄膜 纳米粒子 旋涂法 衬底 涂覆 沉积 薄膜 磁控溅射法 聚乙烯咔唑 真空蒸镀法 阻变存储器 弯曲应变 氧化铟锡 阻变特性 柔性PET 顶电极 易失性 击穿 断裂 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：利用磁控溅射法于PET衬底上沉积一层ITO薄膜；制备PVK包埋ZnO纳米粒子溶液；利用旋涂法将所述PVK包埋ZnO纳米粒子溶液涂覆于所述ITO薄膜，得到PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜；采用真空蒸镀法于所述PVK包埋ZnO纳米粒子薄膜上沉积顶电极。
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