[发明专利]一种大单晶导电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810413642.2 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108546985B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李雪松;涂小明;詹龙龙 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大单晶导电材料及其制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明对多晶导电材料在加载1‑100A恒定电流的条件下进行退火处理，加热至退火温度后保温、移炉、冷却，制得大单晶导电材料；其中，退火温度低于多晶导电材料的熔点温度，连接多晶导电材料的导体，其熔点高于退火温度。本发明可使单次制备单晶达到20cm以上，所需时间与能耗现有应力退火和提拉法等降低50％以上，单晶生长成功率得到显著提升，并且本发明制备方法简单易行，可广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大单晶 导电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大单晶导电材料的制备方法，其特征在于，对多晶导电材料在加载恒定电流的条件下进行退火处理，加热至退火温度后保温、移炉、冷却，制得大单晶导电材料；其中，退火温度低于多晶导电材料的熔点温度，连接多晶导电材料的导体，其熔点高于退火温度。
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