[发明专利]抗总剂量辐射的功率场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810414142.0 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108598168A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄学龙;贾云鹏;贾国;刘广海 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体制造领域，公开了一种抗总剂量辐射的功率场效应晶体管及其制造方法。该抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，包括：提供具有硅基有源区的晶片、并氧化硅基有源区的表面形成遮蔽层；经由遮蔽层向硅基有源区内注入氮离子形成掺氮硅区，注入的氮离子的离子束能量范围为50KeV至110KeV，注入的氮离子的剂量范围为1*1011cm‑3至1*1013cm‑3；除去遮蔽层；氧化掺氮硅区形成凸出于硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层；在掺氮氧化硅介质层上依次形成多晶硅栅极层、隔离层和电极层。本发明提供的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法制造的功率场效应晶体管的抗总剂量辐射能力强，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 功率场效应晶体管 抗总剂量辐射 遮蔽层 硅基 源区 制造 掺氮氧化硅 掺氮硅 氮离子 介质层 半导体制造领域 多晶硅栅极层 离子束能量 注入氮离子 表面形成 氧化硅基 电极层 隔离层 能力强 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：提供具有硅基有源区的晶片、并氧化所述硅基有源区的表面形成遮蔽层；经由所述遮蔽层向所述硅基有源区内注入氮离子形成掺氮硅区，注入的所述氮离子的离子束能量范围为50KeV至110KeV，注入的所述氮离子的剂量范围为1*1011cm‑3至1*1013cm‑3；除去所述遮蔽层；氧化所述掺氮硅区形成凸出于所述硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层；在所述掺氮氧化硅介质层上依次形成多晶硅栅极层、隔离层和电极层。
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