[发明专利]一种具有封装测试作用的芯片电极并列结构在审
| 申请号： | 201810414508.4 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN110444485A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 欧阳睿;肖金磊;许秋林;杨树坤;胡博;陈凝 | 申请（专利权）人： | 紫光同芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有封装测试作用的芯片电极并列结构，包括封装电极和晶圆测试电极，封装电极与晶圆测试电极并联成对排布，其中，封装电极距离晶圆测试电极的距离为10um～30um，封装电极的边长为60um～90um，晶圆测试电极的边长为30um～40um；本发明的芯片电极并列结构，能够使得封装电极与晶圆测试电极在物理和功能上进行隔离，从而消除在生产环节因测试、制造对封装电极造成的破坏性影响；同时，因晶圆测试电极的损伤对封装无影响，所以能够适当增加测试扎针次数，避免传统结构上由于多次测试造成的电极损伤严重无法封装的隐患，降低产品报废成本。 | ||
| 搜索关键词： | 封装电极 晶圆测试 电极 并列结构 芯片电极 封装测试 边长 封装 破坏性影响 测试 产品报废 成对排布 传统结构 电极并联 电极损伤 多次测试 生产环节 扎针 损伤 隔离 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有封装测试作用的芯片电极并列结构，其特征在于，所述芯片电极并列结构包括封装电极和晶圆测试电极，封装电极与晶圆测试电极并联成对排布，其中，封装电极距离晶圆测试电极的距离为10um～30um，封装电极的边长为60um～90um，晶圆测试电极的边长为30um～40um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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