[发明专利]一种形成浮栅的方法在审
| 申请号： | 201810415341.3 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108615678A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张超然;罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成浮栅的方法，采用在硅片表面淀积多晶硅后继续沉积氧化硅以形成保护层，再进行对硅片进行磷元素离子注入，最终进行热退火和研磨处理以形成浮栅。采用本发明的技术方案实现在掺杂后的多晶硅在表面形成一层氧化硅保护层，减少了热处理过程中所掺杂磷元素的向外扩散，从而能降低多晶硅方块电阻，氧化硅保护层又能减少存储区和外围电路区的台阶差，进而提高了产品性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 浮栅 氧化硅保护层 磷元素 掺杂 热处理过程 外围电路区 表面形成 产品性能 方块电阻 硅片表面 研磨处理 保护层 热退火 台阶差 氧化硅 硅片 淀积 良率 沉积 离子 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种形成浮栅的方法，其特征在于，应用于浮栅存储器制造工艺中，包括以下步骤：步骤S1：提供一硅片，所述硅片表面形成有用以制备浮栅的多晶硅层；步骤S2：在所述多晶硅层的表面沉积氧化硅以形成保护层；步骤S3：对所述多晶硅层进行磷元素离子注入；步骤S4：对所述硅片热退火处理；步骤S5：对所述硅片的表面进行研磨处理以形成所述浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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