[发明专利]一种螺旋状超长金属线/带的制备方法有效
申请号: | 201810415754.1 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108565273B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 杨为家;何鑫;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;沈耿哲 | 申请(专利权)人: | 五邑大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 529000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。本发明利用掩膜板制备超长的金属线/带,有序性好,其长度可达几米甚至数十米,可以像电缆一样盘卷起来;该制备方法简单,适用于多种金属,适合产业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 螺旋状 超长 金属线 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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