[发明专利]一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810415766.4 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108682739A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;刘艳怡;刘俊杰;刘铭全;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器，所述金属量子点增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有金属量子点。本发明的金属量子点增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中穿插沉积有金属量子点，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸，提高了ZnO阻变存贮器的相应速率和器件的稳定性；金属量子点可以起到掩膜的作用，有利于提高ZnO薄膜的晶体质量，赋予阻变存贮器良好的运行稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 存贮器 金属 衬底 制备 穿插 运行稳定性 依次设置 速率和 有效地 电极 沉积 掩膜 薄膜 赋予 | ||
【主权项】：
1.一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器，其特征在于，所述金属量子点增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有金属量子点。
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