[发明专利]基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810415769.8 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807628B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层，可以有效改善电流分布的均匀性，电流密度比ITO提高10％以上；与ITO相比，Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小，成本也显著降低；基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好，具备一定的光子晶体的功能，有利于提高LED的正面出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体 ag 纳米 网格 al 掺杂 zno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，其特征在于，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。
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