[发明专利]一种微晶陶瓷电容芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及电容技术领域，具体涉及一种微晶陶瓷电容芯片及其制备方法，包括陶瓷本体和分别设置于陶瓷本体两相对面的正负极，其特征在于：所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一种，辅料还包括以下摩尔百分比的原料：Si 4‑5%,Ca 1.5‑2.5%，As 2.5‑3.5%，K 2‑3%，Mo 6‑7%；上述原料摩尔百分比总量为100%。本发明的微晶陶瓷电容芯片能够在高温高压，低温高压下正常工作，长期工作温度最高可达到150℃，长期工作最低温度可达‑40℃，工作电压为0‑100kv。发明的制备方法制备得到的微晶陶瓷电容芯片的机械强度高，耐高压性能优异，耐高温耐低温性能好。

主权项

1.一种微晶陶瓷电容芯片，包括陶瓷本体和分别设置于陶瓷本体两相对面的正负极，其特征在于：所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一种，辅料包括以下摩尔百分比的原料：Si 4‑5%,Ca 1.5‑2.5%，As 2.5‑3.5%，K 2‑3%，Mo 6‑7%；上述原料摩尔百分比总量为100%。