[发明专利]一种降低浮栅方块电阻的方法在审
| 申请号： | 201810416005.0 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108648996A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张超然;罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低浮栅方块电阻的方法，在浮栅存储器制造工艺中，采用在淀积的多晶硅层进行磷元素离子注入后，对硅片进行热退火处理，热退火气源中掺杂氧气，再对硅片的表面进行研磨处理以形成浮栅。采用本发明的技术方案实现掺杂后的多晶硅在退火的同时表面形成一层氧化硅保护层，减少了热处理过程中所掺杂磷元素的向外扩散，从而能降低多晶硅方块电阻，即降低浮栅方块电阻，进而提高了产品性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 方块电阻 浮栅 掺杂 多晶硅 磷元素 热退火 硅片 退火 氧化硅保护层 浮栅存储器 热处理过程 表面形成 产品性能 多晶硅层 研磨处理 制造工艺 淀积 良率 气源 氧气 离子 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种降低浮栅方块电阻的方法，其特征在于，应用于浮栅存储器制造工艺中，包括以下步骤：步骤S1：提供一硅片，所述硅片表面形成有用以制备浮栅的多晶硅层；步骤S2：对所述多晶硅层进行磷元素离子注入；步骤S3：对所述硅片进行热退火处理，热退火气氛中掺杂预定体积的氧气；步骤S4：对所述硅片的表面进行研磨处理以形成所述浮栅。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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