[发明专利]晶圆级系统封装方法及封装结构有效
申请号: | 201810416799.0 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108666264B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 刘孟彬;罗海龙 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 315801 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种晶圆级系统封装方法及封装结构,方法包括:提供器件晶圆,包括集成有多个第一芯片的第一正面以及与第一正面相背的第一背面;提供多个第二芯片;在第一正面形成粘合层;图形化粘合层,在粘合层内形成多个露出第一正面的第一通孔;将第二芯片设置于剩余粘合层上,第二芯片与第一通孔一一对应且覆盖第一通孔顶部,并使器件晶圆和第二芯片键合;刻蚀第一背面,在器件晶圆内形成与第一通孔相贯通的第二通孔,第二通孔和第一通孔构成第一导电通孔;在第一导电通孔内形成与第二芯片电连接的第一导电柱。本发明通过先形成第一通孔再形成第二通孔,避免出现第一通孔开口尺寸大于第二通孔开口尺寸的问题,从而改善第一导电柱的电性连接性能。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 系统 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆级系统封装方法,其特征在于,包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆包括集成有多个第一芯片的第一正面以及与所述第一正面相背的第一背面;提供多个第二芯片;在所述器件晶圆的第一正面形成可光刻的粘合层;图形化所述粘合层,在所述粘合层内形成多个露出所述第一正面的第一通孔;图形化所述粘合层后,将所述第二芯片设置于剩余粘合层上,所述第二芯片与所述第一通孔一一对应且覆盖所述第一通孔的顶部,并使所述器件晶圆和所述第二芯片键合;刻蚀所述器件晶圆的第一背面,在所述器件晶圆内形成贯穿所述器件晶圆且与所述第一通孔相贯通的第二通孔,所述第二通孔和所述第一通孔构成第一导电通孔;在所述第一导电通孔内形成与所述第二芯片电连接的第一导电柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造