[发明专利]晶圆级系统封装方法及封装结构有效

专利信息
申请号: 201810416799.0 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108666264B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 刘孟彬;罗海龙 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/538
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 高静;李丽
地址: 315801 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种晶圆级系统封装方法及封装结构,方法包括:提供器件晶圆,包括集成有多个第一芯片的第一正面以及与第一正面相背的第一背面;提供多个第二芯片;在第一正面形成粘合层;图形化粘合层,在粘合层内形成多个露出第一正面的第一通孔;将第二芯片设置于剩余粘合层上,第二芯片与第一通孔一一对应且覆盖第一通孔顶部,并使器件晶圆和第二芯片键合;刻蚀第一背面,在器件晶圆内形成与第一通孔相贯通的第二通孔,第二通孔和第一通孔构成第一导电通孔;在第一导电通孔内形成与第二芯片电连接的第一导电柱。本发明通过先形成第一通孔再形成第二通孔,避免出现第一通孔开口尺寸大于第二通孔开口尺寸的问题,从而改善第一导电柱的电性连接性能。
搜索关键词: 晶圆级 系统 封装 方法 结构
【主权项】:
1.一种晶圆级系统封装方法,其特征在于,包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆包括集成有多个第一芯片的第一正面以及与所述第一正面相背的第一背面;提供多个第二芯片;在所述器件晶圆的第一正面形成可光刻的粘合层;图形化所述粘合层,在所述粘合层内形成多个露出所述第一正面的第一通孔;图形化所述粘合层后,将所述第二芯片设置于剩余粘合层上,所述第二芯片与所述第一通孔一一对应且覆盖所述第一通孔的顶部,并使所述器件晶圆和所述第二芯片键合;刻蚀所述器件晶圆的第一背面,在所述器件晶圆内形成贯穿所述器件晶圆且与所述第一通孔相贯通的第二通孔,所述第二通孔和所述第一通孔构成第一导电通孔;在所述第一导电通孔内形成与所述第二芯片电连接的第一导电柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路(宁波)有限公司,未经中芯集成电路(宁波)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810416799.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top