[发明专利]一种双极型晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810417864.1 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108878520A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;范春晖;王言虹;奚鹏程 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极型晶体管结构及其制作方法，通过在双极型晶体管结构中使用导电埋层取代常规的注入埋层，可在集电极串联电阻上的部分区域实现金属互连，因而可大幅降低集电极串联总体串联电阻，从而有效提高了器件性能；同时，通过使用导电埋层取代注入埋层，可以无需使用外延工艺，直接在衬底上形成双极型晶体管，从而降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型晶体管结构 导电埋层 埋层 集电极串联电阻 双极型晶体管 集电极串联 串联电阻 工艺成本 金属互连 器件性能 外延工艺 常规的 衬底 制作 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管结构，其特征在于，包括：设于第一型衬底上的第二型基极、第一型发射极、第一型集电极；设于第一型衬底上且包围第二型基极、第一型发射极的第二型基区；设于第一型衬底上且包围第一型集电极的第一型穿透层；以及设于第一型衬底上且相邻位于第二型基区和第一型穿透层下方的导电埋层；所述导电埋层用于将由第一型发射极流出的电流传导收集至第一型集电极。
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