[发明专利]一种二硫化钼纳米薄片的制备方法在审
| 申请号： | 201810417992.6 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN110240199A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 江峰;闫鹏飞 | 申请（专利权）人： | 张家港钛光新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 215628 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种二硫化钼纳米薄片的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法；其中，化学气相沉积法中采用高低双温区加热方法；所述化学气相沉积法的原料包括钼源和硫源；所述钼源的位置位于所述硫源的下风向，衬底的位置位于所述钼源的下风向；所述衬底为带有纳米柱的衬底。该方法既可以在平面衬底上生长水平二硫化钼薄片，又可以在带有纳米柱的衬底上生长垂直二硫化钼薄片，材料直接在衬底上生长，不需加压，耗时短，成本低，工艺简便，可以大规模密集生长，可重复性强。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 二硫化钼 化学气相沉积 钼源 生长 纳米薄片 纳米柱 下风向 硫源 制备 可重复性 双温区 加热 加压 耗时 垂直 申请 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼纳米薄片的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法；其中，化学气相沉积法中采用高低双温区加热方法；所述化学气相沉积法的原料包括钼源和硫源；所述钼源的位置位于所述硫源的下风向，衬底的位置位于所述钼源的下风向；所述衬底为带有纳米柱的衬底。
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