[发明专利]暗像素结构有效
申请号: | 201810418176.7 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108831897B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 宋辉;钱俊 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种暗像素结构包括:感光区,在感光区的正上方至少覆盖有两层金属层;在各金属层之间以及金属层和感光区之间隔离有介质层;金属层覆盖在感光区的正上方防止光线垂直照射到感光区中;在金属层之间形成有带状通孔结构,带状通孔结构的金属防止光线从侧面进入到金属层之间并在金属层之间的介质层中传播并进而进入到感光区中。本发明能防止光从侧面照入到感光区,防止串扰。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种暗像素结构,其特征在于,包括:感光区,在所述感光区的正上方至少覆盖有两层金属层;在各所述金属层之间以及所述金属层和所述感光区之间隔离有介质层;所述金属层覆盖在所述感光区的正上方防止光线垂直照射到所述感光区中;在所述金属层之间形成有带状通孔结构,所述带状通孔结构的金属防止光线从侧面进入到所述金属层之间并在所述金属层之间的介质层中传播并进而进入到所述感光区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的