[发明专利]暗像素结构有效

专利信息
申请号: 201810418176.7 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN108831897B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 宋辉;钱俊 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种暗像素结构包括:感光区,在感光区的正上方至少覆盖有两层金属层;在各金属层之间以及金属层和感光区之间隔离有介质层;金属层覆盖在感光区的正上方防止光线垂直照射到感光区中;在金属层之间形成有带状通孔结构,带状通孔结构的金属防止光线从侧面进入到金属层之间并在金属层之间的介质层中传播并进而进入到感光区中。本发明能防止光从侧面照入到感光区,防止串扰。
搜索关键词: 像素 结构
【主权项】:
1.一种暗像素结构,其特征在于,包括:感光区,在所述感光区的正上方至少覆盖有两层金属层;在各所述金属层之间以及所述金属层和所述感光区之间隔离有介质层;所述金属层覆盖在所述感光区的正上方防止光线垂直照射到所述感光区中;在所述金属层之间形成有带状通孔结构,所述带状通孔结构的金属防止光线从侧面进入到所述金属层之间并在所述金属层之间的介质层中传播并进而进入到所述感光区中。
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