[发明专利]内部集成电路电阻校准有效
申请号: | 201810419461.0 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108802495B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 曲光阳;陈雷铖;M·鲁尼 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02;G01R27/14 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及内部集成电路电阻校准。传感器接口IC测量或校准目标电阻,以用作传感器接口IC中TIA放大器的增益电阻。一个或多个激励电流响应于施加于外部具有指定校准电阻值的校准电阻器的不同规定激励电压而产生。响应于相应的不同的一个或多个激励电流,分别在目标电阻器上测量响应电压。目标电阻器的电阻值是使用测得的响应电压与规定激励电压之间的差值与指定校准电阻值之差来确定的。 | ||
搜索关键词: | 内部 集成电路 电阻 校准 | ||
【主权项】:
1.一种使用激励电流来测量目标电阻器的集成电路(IC)电阻值的方法,所述激励电流在到达所述目标电阻器之前经历外部传感器泄漏电流或其他泄漏电流而降低,所述方法包括:响应于施加到具有指定校准电阻值的校准电阻器的不同的第一和第二规定激励电压而产生不同的第一和第二激励电流;在所述目标电阻器上测量不同的第一和第二响应电压,分别响应于相应的不同的第一和第二激励电流;和使用测量的第一和第二响应电压之间的差值、第一和第二规定激励电压之间的差值、和所述指定校准电阻值来确定所述目标电阻器的集成电路电阻值。
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