[发明专利]高效低耗的镀膜设备在审
申请号: | 201810420199.1 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108588659A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 刘月玲;刘润海;马驰 | 申请(专利权)人: | 京磁材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/50 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 101300 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了高效低耗的全自动镀膜系统及镀膜方法,包括目标靶、靶源以及溅射腔体,其特征在于,所述目标靶包括码放基片的基片架,以及带动基片架位移的平移设备,所述目标靶与靶源平行;所述靶源包括靶材、磁体以及用于在靶源和目标靶之间产生电场的电场部件,所述靶材放置在磁体上;所述溅射腔体为真空密封腔体;其中,所述目标靶和靶源均设立在溅射腔体内部;本发明能够解决镀膜效率低、靶材利用率低、基片热效应明显的问题。 | ||
搜索关键词: | 目标靶 靶源 溅射腔体 基片架 靶材 热效应 真空密封腔体 靶材利用率 电场 电场部件 镀膜设备 镀膜系统 镀膜效率 平移设备 溅射腔 体内部 镀膜 码放 平行 | ||
【主权项】:
1.高效低耗的全自动镀膜系统,包括目标靶、靶源以及溅射腔体,其特征在于,所述目标靶包括码放基片的基片架,以及带动基片架位移的平移设备,所述目标靶与靶源平行;所述靶源包括靶材、磁体以及用于在靶源和目标靶之间产生电场的电场部件,所述靶材放置在磁体上;所述溅射腔体为真空密封腔体;其中,所述目标靶和靶源均设立在溅射腔体内部。
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