[发明专利]倾斜台面的制备方法及探测器的制备方法在审
| 申请号： | 201810420959.9 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108630778A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;李佳;房玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种倾斜台面的制备方法及探测器的制备方法，倾斜台面的制备方法包括：在晶片的台面区涂覆光刻胶层，将涂覆光刻胶层后的晶片从第一预设温度加热至第二预设温度，对经过加热后的晶片进行刻蚀处理，制备具有预设倾斜角度的台面，去除制备台面后的晶片台面区的光刻胶层。本发明能够使台面的侧壁非常平滑，从而降低器件表面的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶片 光刻胶层 倾斜台 预设 台面区 台面 探测器 涂覆 加热 半导体技术领域 降低器件 漏电流 侧壁 刻蚀 平滑 去除 | ||
【主权项】：
1.一种倾斜台面的制备方法，其特征在于，包括：在晶片的台面区涂覆光刻胶层；将涂覆光刻胶层后的晶片从第一预设温度加热至第二预设温度；对经过加热后的晶片进行刻蚀处理，制备具有预设倾斜角度的台面；去除制备台面后的晶片台面区的光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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