[发明专利]X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器有效
申请号: | 201810427616.5 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN108550595B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 谢振宇;毛利军;李田生 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种X‑ray探测器阵列基板及其制作方法、X‑ray探测器,涉及探测器技术领域,能够有效避免过刻问题。该阵列基板的制作方法包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管以及接收电极;形成第一钝化层;形成第一过孔和第二过孔;形成光电转换层;对光电转换层进行刻蚀,保留第二过孔对应区域的光电转换层,保留第一过孔中的光电转换层中的部分膜层;对树脂层和第二钝化层进行刻蚀,在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层,在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔,露出第一导电层。该阵列基板的制作方法主要用于X‑ray探测器的制造过程中避免过刻问题。 | ||
搜索关键词: | ray 探测器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种X‑ray探测器阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极;在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层;在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔,对应于所述接收电极的区域形成第二过孔;在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层,使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层;对所述光电转换层进行刻蚀,保留所述第二过孔对应区域的光电转换层,保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层;在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层;在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层;对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀,在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层,在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔,露出所述第一导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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