[发明专利]过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201810428335.1 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110459505B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 卢鹏程;陈小川;杨盛际;黄冠达;王辉;王晏酩;王维海;秦国红;宋亚歌;李健通 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板，该过孔连接结构的制造方法包括：在衬底基板上形成绝缘层并在该绝缘层中形成第一过孔；在该第一过孔中形成连接部；在该绝缘层的表面上形成覆盖该连接部的保护层；在该绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；至少部分去除该保护层，暴露出该连接部。该制造方法通过在形成第二过孔之前形成保护层对连接部进行保护，避免了光刻胶的剥离工艺对该连接部造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过孔连接结构的制造方法，包括：/n在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔；/n在所述第一过孔中形成连接部；/n在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层；/n在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；/n至少部分去除所述保护层，暴露出所述连接部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
