[发明专利]半导体发光微显示器件及其制造方法以及衬底剥离方法

摘要

本发明公开半导体发光微显示器件，其外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大，透光导电层位于N‑GaN表面上，连接电极位于P‑GaN表面上，像素电极位于连接电极表面上，导电胶连接于透光导电层与像素电极之间。本发明还公开半导体发光微显示器件制造方法。本发明还公开衬底剥离方法。外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大，使得外延结构的N‑GaN与衬底的接触面积较小，减小激光剥离阈值，提升激光剥离良率。

主权项

1.半导体发光微显示器件，其特征在于：包括多个外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的N‑GaN、有源层及P‑GaN，所述外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大；透光导电层，所述透光导电层位于所述N‑GaN表面上，与所述N‑GaN电连接；连接电极，所述连接电极位于所述P‑GaN表面上，与所述P‑GaN电连接；像素电极，所述像素电极位于所述连接电极表面上，与所述连接电极电连接；导电胶，所述导电胶连接于所述透光导电层与所述像素电极之间。