[发明专利]形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构有效
| 申请号： | 201810431009.6 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108878269B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 孙磊;王文辉;张洵渊;谢瑞龙;曾伽;朱雪莲;成敏圭;刘绍铭 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/8252;H01L27/092;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构，一项态样是针对形成集成电路结构的方法。该方法可包括：提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 结构 方法 相关 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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