[发明专利]一种集成电路芯片的金凸块制造工艺

摘要

本发明涉及半导体技术领域内一种集成电路芯片的金凸块制造工艺，具体过程为在集成电路芯片表面依次进行金属膜溅镀、光阻涂布，对生长金凸块位置的光阻进行曝光和显影处理使生长金凸块的位置形成开窗，对开窗位置电镀金形成金凸块，去除金凸块两侧光阻，并对集成电路芯片及金凸块表面进行电浆和蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层，再次对金凸块表面单独进行电浆和金蚀刻处理，最后对溅镀的钨钛膜进行蚀刻处理。本发明的金凸块制造工艺中，分两次对集成电路芯片表面进行电浆处理和金蚀刻处理，可以分别去除金凸块两侧溅镀的金层，并使金凸块表面发生一定程度的蚀刻，使金凸块表层颗粒缝隙加大，表面呈现疏松孔隙状，此种粗糙的结构使金凸块颜色变黑。

主权项

1.一种集成电路芯片的金凸块制造工艺，包括如下步骤：第一步，溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；所述金属膜为底层钛钨膜和上层的金膜；第二步，光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；第三步，曝光：用曝光机，对需要生长金凸块位置的光阻使用波长为405‑436纳米的光进行照射10‑150秒，使之发生光溶解反应；第四步，显影：用显影机和显影液，通过浸泡产生化学反应，去除掉曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；所述显影液的质量含量为2.3‑2.4%的四甲基氢氧化铵水溶液；第五步，电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；第六步，光阻去除并对集成电路芯片及金凸块表面进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层之后，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理；第七步，钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜，本步钛钨蚀刻的作用是去除金凸块两侧溅镀的钛钨膜。