[发明专利]外延结构、发光二极管和外延结构的制作方法有效
| 申请号： | 201810432678.5 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400209B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 祝庆;汪琼;陈柏君;陈柏松;李若雅 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及到一种外延结构、发光二极管和外延结构的制作方法。外延结构包括外延结构的多量子阱层包括量子阱层和第一量子垒层，第一量子垒层形成在量子阱层的上表面，量子阱层中铟元素的占比第一量子垒层铟元素的占比。采用本外延结构能够降低量子阱层和第一量子垒层之间的晶格失配，从而降低了droop效应，提高了发光二极管的发光率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 量子垒层 量子阱层 发光二极管 铟元素 多量子阱层 晶格失配 发光率 上表面 制作 申请 | ||
【主权项】：
1.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构的多量子阱层包括量子阱层和第一量子垒层，所述第一量子垒层形成在所述量子阱层的上表面；所述第一量子垒层为包括氮化镓铟和氮化镓的超晶格层，所述量子阱层中的铟元素的占比大于所述第一量子垒层中的铟元素的占比；所述多量子阱层还包括第二量子垒层，所述第二量子垒层形成在所述第一量子垒层的上表面；所述第二量子垒层为包括铝铟氮层和氮化镓层的超晶格层。
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