[发明专利]一种非晶氧化钴纳米片的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201810433091.6 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108439488B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杨国伟;林昭勇;李伟佳 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯炳辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶氧化钴纳米片的制备方法及应用，在纯水中通过脉冲激光烧蚀技术，将不规则的结晶氧化钴微粒制备成非晶氧化钴纳米片。该方法简易方便，在常温常压下即可进行，避免了通常制备非晶材料所需的苛刻的条件。同时，该方法利用制备过程中产生的等离子体羽辉内部压力，制备出氧化钴纳米片。本发明中的制备方法可以用来有效控制非晶纳米片状材料的制备。本发明所制备的非晶氧化钴纳米片在国际上首次被应用于光催化全解水，并且表现出优异的光催化全解水性能和显著的稳定性，有效地克服了晶体氧化钴纳米光催化剂的不稳定性问题，有效地延长光催化剂的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化钴 纳米片 非晶 光催化 有效地 应用 等离子体羽辉 脉冲激光烧蚀 纳米光催化剂 纳米片状材料 氧化钴微粒 不稳定性 常温常压 非晶材料 光催化剂 内部压力 有效控制 制备过程 不规则 简易 表现 | ||
【主权项】：
1.一种非晶氧化钴纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)将晶体氧化钴微粒粉末置于反应容器中，往其中注入纯水，搅拌使粉末均匀分散；/n2)调节纳秒脉冲激光光路，将光束聚焦至反应容器中，使得固液界面产生等离子体羽辉，在等离子体羽辉内部产生一个压力，并利用此压力促进片状结构的产生；/n3)调节激光脉冲能量，使得等离子体羽辉内部温度达到促进非晶结构的产生；/n4)反应结束后取出完全溶液，干燥后得到所需的非晶氧化钴纳米片。/n
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