[发明专利]一种带隙基准电压二阶补偿电路有效

专利信息
申请号: 201810433620.2 申请日: 2018-05-08
公开(公告)号: CN108508952B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 苟超;孙毛毛;梁盛铭;王菡;李鹏;罗凯;刘一杉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种带隙基准电压二阶补偿电路,属于集成电路设计领域,该补偿电路包括运算放大器OP1,双极晶体管Q1~Q4,电阻R1~R7;运算放大器OP1的正向输入端连接双极晶体管Q3的集电极,运算放大器OP1的反向输入端连接双极晶体管Q2的集电极,运算放大器OP1的输出端连接双极晶体管Q1的基极;双极晶体管Q1的集电极连接电源VDD,发射极分别通过电阻R1、电阻R2连接至运算放大器OP1的反向输入端和正向输入端;双极晶体管Q1的发射极还连接至双极晶体管Q4的基极;双极晶体管Q2的发射极通过电阻R4和电阻R5串联接地,双极晶体管Q3的发射极通过电阻R5接地;双极晶体管Q4的发射极经过电阻R7接地。本发明电路结构简单、设计复杂度低且成本低。
搜索关键词: 一种 基准 电压 补偿 电路
【主权项】:
1.一种带隙基准电压二阶补偿电路,其特征在于:该补偿电路包括运算放大器OP1,双极晶体管Q1~Q4,电阻R1~R7;所述运算放大器OP1的正向输入端连接双极晶体管Q3的集电极,运算放大器OP1的反向输入端连接双极晶体管Q2的集电极,运算放大器OP1的输出端连接双极晶体管Q1的基极;双极晶体管Q1的集电极连接电源VDD,发射极分别通过电阻R1、电阻R2连接至运算放大器OP1的反向输入端和正向输入端;双极晶体管Q1的发射极还通过电阻R3和电阻R6接地,所述双极晶体管Q2和双极晶体管Q3的基极相互连接后连接至电阻R3和电阻R6之间,所述双极晶体管Q1的发射极还连接至双极晶体管Q4的基极;所述双极晶体管Q2的发射极通过电阻R4和电阻R5串联接地,所述双极晶体管Q3的发射极通过电阻R5接地;所述双极晶体管Q4的发射极经过电阻R7接地。
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