[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，采用4Mask的第二道光罩制程制作叠加于第一金属线上方的第二金属线，该制程中所使用的第二光罩的第二金属线图案两侧外缘处设有狭缝，相比于使用传统光罩，所形成的光阻图案层的两侧会对应所述狭缝形成凹槽，且光阻图案层两侧的厚度将会减小，在对光阻图案层进行干法蚀刻时，由于光阻图案层两侧的厚度减小，在同样的干法蚀刻条件下，光阻图案层的宽度损失量会变大，进而会导致第二金属层在第二次湿法蚀刻时的尺寸损失量变大，如此便达到了不调节制程条件而实现减小第二金属线宽度的目的，使第二金属线相对第一金属线发生偏移时，第二金属线在坡底边缘处残留的风险减小，制程空余调节量变大。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积并图案化形成第一金属线(11)，在所述第一金属线(11)与衬底基板(10)上沉积形成间隔层(15)；步骤S2、在所述间隔层(15)上沉积第二金属层(20)，在所述第二金属层(20)上涂覆光阻层(80)，提供第二光罩(90)，所述第二光罩(90)具有第二金属线图案(95)，所述第二金属线图案(95)两侧外缘处设有狭缝(96)，利用所述第二光罩(90)对所述光阻层(80)进行曝光、显影，得到对应位于所述第一金属线(11)上方的光阻图案层(85)，所述光阻图案层(85)的两侧对应所述狭缝(96)形成凹槽(86)，且光阻图案层(85)两侧的厚度相对于中部的厚度减小；步骤S3、以所述光阻图案层(85)为遮蔽层，对所述第二金属层(20)进行进行第一次湿法蚀刻；步骤S4、对所述光阻图案层(85)进行干法蚀刻，减薄所述光阻图案层(85)；步骤S5、以减薄后的光阻图案层(85)为遮蔽层，对所述第二金属层(20)进行进行第二次湿法蚀刻，去除光阻图案层(85)，得到对应位于所述第一金属线(11)上方的第二金属线(21)。