[发明专利]铌酸锂掺杂石英光纤在审
| 申请号： | 201810434976.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108594359A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王廷云;陈振宜;陈娜;庞拂飞;文建湘;刘书朋 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铌酸锂掺杂石英光纤。该光纤通过改进化学气相沉积工艺技术加入高温气化铌酸锂工艺制备而成。制备出的铌酸锂掺杂石英光纤结构为纤芯层掺铌酸锂匹配型结构或内包层掺杂铌酸锂结构或纤芯与内包层同掺铌酸锂结构。这三种结构的铌酸锂掺杂石英光纤均具有高的折射率差、低的损耗和较高的拉曼增益系数。该光纤用于拉曼光纤放大器，可获得较高的拉曼增益，能解决传统单模光纤拉曼放大器增益低的不足。同时制备工艺成熟，可实现铌酸锂掺杂石英光纤的批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 石英光纤 掺杂 拉曼增益 内包层 掺铌 酸锂 光纤 拉曼光纤放大器 传统单模光纤 化学气相沉积 掺杂铌酸锂 拉曼放大器 高温气化 工艺技术 工艺制备 折射率差 制备工艺 批量化 匹配型 纤芯层 纤芯 制备 成熟 改进 生产 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂掺杂石英光纤，在改进化学气相沉积（MCVD）制备工艺技术方法中增加铌酸锂高温气化沉积工艺制作而成，制备出的铌酸锂掺杂石英光纤结构为芯层（1）掺杂铌酸锂匹配型结构、内包层（2）掺杂铌酸锂结构、芯层（1）与内包层（2）同掺铌酸锂结构，具有高折射率差、低损耗和高拉曼增益系数的优点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810434976.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：导光板和显示装置
- 下一篇：一种填充液体的双芯光子晶体光纤
