[发明专利]微型化线路的制法及其制品在审
申请号: | 201810436928.2 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN109872988A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 曾彦豪;黄世颖;彭宥轩;徐伟智;王苇霖;黄文冠 | 申请(专利权)人: | 希华晶体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/02 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 微型化线路的制法包括:于基板沉积第一金属构成的金属层;于金属层形成具线路图案并裸露一部分金属层的光阻层;自裸露于线路图案外的金属层的部分形成第二金属构成的线路图案下层;于线路图案下层叠制由有别于第一金属的第三金属构成的线路图案上层;移除光阻层以裸露金属层的剩余部分;及以蚀刻剂蚀刻金属层的剩余部分令金属层成为线路图案底层并制得微型化线路。线路图案上、下层是经电镀或化镀所完成,蚀刻剂对第一金属的第一蚀刻速率远大于对第三金属的第二蚀刻速率,令湿式蚀刻反应一致反应在第一金属构成的金属层的剩余部分以降低湿式蚀刻反应在第三金属构成的线路图案上层并降低底切所致的断路问题。 | ||
搜索关键词: | 线路图案 金属层 金属 蚀刻 微型化 下层 裸露 光阻层 制法 上层 蚀刻剂蚀刻 湿式蚀刻 蚀刻剂 电镀 断路 低湿 底切 叠制 基板 移除 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种微型化线路的制法,其特征在于:依序包含:步骤(a),是于基板的表面上沉积由第一金属所构成的金属层;步骤(b),是于该金属层上形成具有线路图案的光阻层,该光阻层的线路图案是裸露出该金属层的一部分;步骤(c),是自裸露于该光阻层的线路图案外的该金属层的该部分上形成线路图案下层,该线路图案下层是由第二金属所构成,且是经实施电镀或化镀所完成;步骤(d),是于该线路图案下层上叠制线路图案上层,该线路图案上层是由有别于该第一金属的第三金属所构成,且是经实施电镀或化镀所完成;步骤(e),是移除该光阻层以裸露出该金属层的剩余部分;及步骤(f),是以蚀刻剂蚀刻该金属层的该剩余部分以令该金属层成为线路图案底层,并从而制得微型化线路;其中,该蚀刻剂对该第一金属与该第三金属分别具有第一蚀刻速率(R1)与第二蚀刻速率(R2),R1是远大于R2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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