[发明专利]一种单晶电池片的制绒方法在审
| 申请号： | 201810437465.1 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108666243A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 吴文州;吴建新 | 申请（专利权）人： | 永嘉利为新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人： | 王明超 |
| 地址： | 325102 浙江省温州市永嘉县东*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶电池片的制绒方法，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；S7、风干单晶硅片表面。此方案具有生产成本低、效率高、生产步骤少、速度快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅片表面 单晶硅片 单晶电池片 制绒 单晶硅片正面 碱性混合溶液 生产成本低 氧化层刻蚀 常规表面 腐蚀处理 氢氧化钠 清洗处理 去离子水 生产步骤 丝网印刷 风干 光照区 单晶 晒干 添加剂 背面 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种单晶电池片的制绒方法，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；S7、风干单晶硅片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
