[发明专利]一种半导体引线框架的加工工艺

摘要

本发明公开了一种半导体引线框架的加工工艺,涉及半导体功率器件引线框架加工技术领域，具体包括如下步骤：（1）用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；（2）用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二；（3）用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；（4）用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；（5）用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲。本发明不仅能防止在外引线冲裁过程中造成外引线扭曲，且能防止半导体引线框架在塑封后隔墙的两边溢料。

主权项

1.一种半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：S1：根据所需制得的产品预制件选择合适的金属料带,并通过冲裁模具在金属料带上冲出识别孔；S2：在步骤S1的基础上，用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；S3：根据定位孔的定位，用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二，且在加工成型燕尾二后对金属料带进行预切边；S4：在步骤S3的基础上，用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；S5：在步骤S4的基础上，用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；S6：在步骤S5的基础上，用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲；S7：在步骤S6的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的方孔和裁片进行精冲；S8：在步骤S7的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的切分条进行精冲。