[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201810438880.9 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110491790B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 龚俊豪;陈科维;蔡晴翔;廖高锋;陈东楷;池芳仪;黄惠琪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B24B37/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一材料层于一半导体基板之上；/n形成一开口于该材料层中；/n沉积一金属层于该开口中并延伸至该材料层上；以及/n化学机械研磨一部分的该金属层；/n其中该化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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