[发明专利]连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构有效
| 申请号： | 201810439286.1 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108649001B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王文赫;纪莲和;张贺丰 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 周际;张鹏 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接。每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部。与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。该隧道式金属线的布线区域不局限于该常规芯片内部以及芯片与芯片中间的空白区域，也可以从其他芯片内部进行布线。因此切割道处的金属线并不密集，当晶圆切割时，金属线不易连接在一起造成短路，从而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 晶圆内 常规 芯片 测试 专用 隧道 金属线 结构 | ||
【主权项】：
1.一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构，每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接，其特征在于，每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部，其中，与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司，未经北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810439286.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
