[发明专利]集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 201810439588.9 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108461496B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。采用竖直设置在衬底上的有源柱体以构成立式存储晶体管，从而有利于减小立式存储晶体管在衬底上的单元配置尺寸，进而能够进一步缩减集成电路存储器的尺寸。并且，竖直结构的立式存储晶体管具有更好的排布灵活性，例如能够实现多个立式存储晶体管呈六方密集排布，以提高集成电路存储器中存储单元的排布密集度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 及其 形成 方法 半导体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括：一衬底；多条位线，形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸；多个有源柱体，形成在所述位线上，以使所述有源柱体的底端部连接至所述位线；以及，多条字线，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述字线在其延伸方向上连接有栅极管，所述栅极管环绕相应的有源柱体的外侧壁，所述有源柱体的顶端外露于所述栅极管，由所述有源柱体和所述栅极管共同构成所述集成电路存储器的立式存储晶体管。
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