[发明专利]一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件

摘要

本发明公开一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件，所述材料的分子结构通式为其中，Ar为芳环取代基，X为氧原子、硫原子或中的一种。本发明提供的双硼荧光材料因存在明显的HOMO和LOMO能级分离，使其具有热延迟荧光材料的特性，可以实现高量子效率的荧光发射；同时双硼基团通过与苯环、萘环、蒽环、芘环、屈环、并五苯和菲环等稳定的发光母核进行结合，可有效提高双硼荧光材料的稳定性。

主权项

1.一种双硼荧光材料，其特征在于，所述双硼荧光材料的分子结构通式为其中，Ar为芳环取代基，X为氧原子、硫原子或中的一种，所述R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁独立的选自碳原子数为1-30的烷烃、碳原子数为6-60的稠环芳烃基、碳原子数为5-50的仲氨基、五元烷烃基和六元烷烃基中的一种，其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈取代基数量独立为0-4的整数，R₉、R₁₀、R₁₁取代基数量独立为0-5的整数。/n