[发明专利]一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法

摘要

本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。

主权项

1.一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料，其特征为所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层；其中，摩尔比为“已成型的核壳量子点：单一配体”＝1:(2～20)；单种配体中摩尔比例为“阳离子：硅原子”＝1:(5～30)；组成量子点核与整体壳的单位半导体材料摩尔比为“核:壳”＝1:(2～180)；已成型的核壳量子点的粒径范围为2～15nm；所述的量子点核为量子点CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、CdZnS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、PbS、PbSeS、GaP、GaAs、InP、CuInS2、CuInSe2、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe或CuInSSe；所述的量子点壳的组成材料为CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaP、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、CdZnS、CdZnSeS或CdZnSTe；所述的量子点表面功能配体层由阳离子反应前体和有机硅前体共同反应形成，其中阳离子反应前体材料为高活性阳离子材料。