[发明专利]一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810441023.4 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN108395892B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 毕文刚;徐庶;谢杨杨;邢玮烁;张新素;张紫辉;张勇辉 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法。该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成,内部垒阱位置为:中心为中心量子垒,两侧均从内到外依次为:第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒;所述的N为自然数=2~10;量子垒的禁带宽度范围为2.7~4.2eV,且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒,禁带宽度差在0~1.5eV;邻近量子阱的禁带宽度差在0.1~2eV。本发明克服了传统量子点单色发光在白光LED封装上用量配比繁琐的缺点,同时克服了现有硅酸盐体系全色单一白光荧光粉所具有的红光缺失、激发光吸收率低的缺点。
搜索关键词: 一种 具备 多重 发光 单一 量子 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具备多重发光的单一量子点材料,其特征为该材料由以量子垒为中心的对称超晶格结构组成,内部垒阱位置为:中心为中心量子垒,两侧均从内到外依次为:第一发光量子阱/第一量子垒/第二发光量子阱/第二量子垒/…/第N发光量子阱/第N量子垒/边量子垒;所述的N为自然数=2~10;其中,量子垒的禁带宽度范围为2.7~4.2eV,且中心量子垒和边量子垒的禁带宽度不小于其他量子垒,禁带宽度差在0~1.5eV;量子阱由中心向边缘禁带依次变宽,最邻近量子阱的禁带宽度差在0.1~2eV。
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