[发明专利]一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法有效
申请号: | 201810441125.6 | 申请日: | 2018-05-10 |
公开(公告)号: | CN108754594B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 杨小飞;梁力勃;蔡小宇 | 申请(专利权)人: | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C25F3/04 | 分类号: | C25F3/04;C23F13/02;H01G9/055 |
代理公司: | 南宁深之意专利代理事务所(特殊普通合伙) 45123 | 代理人: | 卢颖 |
地址: | 542899 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: |
一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法,是将铝箔经过前处理和一级前半V发孔腐蚀后,进行一级后半V阴极加电保护,铝箔进入后半V后对阴极进行恒电流保护处理30~120s,电流密度为5~30mA/cm |
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搜索关键词: | 一种 高压 电子 铝箔 腐蚀 阴极 保护 方法 | ||
【主权项】:
1.一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)前处理:铝箔进入温度为60‑90℃,含有质量百分比为1‑10%盐酸和20‑40%硫酸的混合溶液中浸泡30‑150 s;(2)一级前半V发孔腐蚀:前处理完成后的铝箔进入温度65‑80℃的发孔腐蚀液中,施加电流密度为300‑800 mA cm‑2的直流电进行发孔腐蚀60‑120 s,所述发孔腐蚀液为含有质量百分比为1‑10%盐酸和20‑40%硫酸的混合溶液;(3)一级后半V阴极加电保护:前半V发孔腐蚀完成后,铝箔进入后半V,对阴极进行恒电流保护处理30~120s,电流密度为5~30mA/cm2,直至铝箔超出后半V液面;(4)二级扩孔腐蚀:铝箔进入温度为65‑80℃的扩孔腐蚀液中,施加电流密度为50‑200 mA cm‑2的直流电进行扩孔腐蚀600‑900 s,所述扩孔腐蚀液为含有质量百分比3‑5%硝酸的溶液;(5)化洗:二级扩孔腐蚀完成后的铝箔进入温度为65‑80℃、质量百分比为3‑8%的硝酸溶液中浸泡60‑120 s,然后水洗干净。
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