[发明专利]一种利用多晶材料制备单晶电容的方法有效
| 申请号： | 201810441359.0 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108598261B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王超;赵云驰;魏红祥;孙阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用多晶材料制备单晶电容的方法，包括：(1)在衬底上制备电容的测试电极；(2)利用聚焦离子束‑电子束双束系统的电子束背散射衍射标定并选取多晶材料中的单晶颗粒；(3)利用聚焦离子束‑电子束双束系统的聚焦离子束在单晶颗粒上刻蚀出两个平行沟槽并在其中沉积电绝缘保护层，提取具有电绝缘保护层的单晶颗粒；(4)从单晶颗粒的除了具有电绝缘保护层之外的一侧或相对的两侧刻蚀单晶颗粒至目标厚度；(5)以任意的顺序，进行步骤(a)和(b)，从而制得电容：(a)在单晶颗粒的、除了具有电绝缘保护层之外的两侧形成电容电极；(b)刻蚀去除单晶颗粒上部多余的部分；(6)将电容电极与测试电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶颗粒 电绝缘保护层 电容 电子束 聚焦离子束 多晶材料 刻蚀 制备 测试电极 电容电极 双束系统 单晶 平行沟槽 背散射 标定 沉积 衬底 去除 衍射 | ||
【主权项】：
1.一种利用多晶材料制备单晶电容的方法，所述方法包括以下步骤：/n(1)在衬底上制备电容的测试电极；/n(2)利用聚焦离子束-电子束双束系统的电子束背散射衍射标定并选取多晶材料中的单晶颗粒；/n(3)利用聚焦离子束-电子束双束系统的聚焦离子束在步骤(2)中选取的单晶颗粒上刻蚀出两个平行沟槽，在两个刻蚀出的平行沟槽内沉积电绝缘保护层，利用聚焦离子束-电子束双束系统提取具有电绝缘保护层的单晶颗粒；/n(4)从具有电绝缘保护层的单晶颗粒的、除了具有所述电绝缘保护层之外的一侧或相对的两侧刻蚀单晶颗粒至目标厚度；/n(5)以任意的顺序，在刻蚀至目标厚度的单晶颗粒上进行以下步骤(a)和(b)，从而制得电容：/n(a)在单晶颗粒的、除了具有所述电绝缘保护层之外的两侧形成电容电极；/n(b)刻蚀去除单晶颗粒上部多余的部分；/n(6)将步骤(5)中制得的电容的电容电极与步骤(1)中制得的测试电极连接。/n
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