[发明专利]高光电转换效率Bi2

摘要

本发明提出了高光电转换效率Bi2MoO6光阳极及其制备方法和应用。本发明先通过磁控溅射法在导电玻璃基底覆盖一层致密的Bi2MoO6薄膜，再利用电泳沉积法在该薄膜上沉积一层Bi2MoO6粉体，经过高温退火处理后，形成高结晶性的Bi2MoO6光阳极薄膜。本发明制备出的光阳极薄膜有效的改善了载流子的传输效率，降低电子空穴的复合率，显著提高了光阳极的光电转换效率。本发明制备方法成本低、简单、方便操作，可广泛应用于多种电极薄膜的光电化学分解水体系。

主权项

1.高光电转换效率Bi2MoO6光阳极，其特征在于，所述的高光电转换效率Bi2MoO6光阳极是，首先利用磁控溅射的方法在导电基底上附着一层Bi2MoO6薄膜，再通过电泳沉积法在Bi2MoO6薄膜上沉积Bi2MoO6粉体，经高温退火处理制得。