[发明专利]用于腔室部件的多层等离子体侵蚀保护有效

专利信息
申请号: 201810444173.0 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN108878246B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: T·特兰;K·莱克西斯沃;T·W·金;D·卢博米尔斯基;邬笑炜;X-M·何;C-H·周;J·Y·孙 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 杨学春;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种在制品上施加多层抗等离子体涂层的方法包括执行镀覆或ALD以在制品上形成保形的第一抗等离子体层,其中保形的第一抗等离子体层被形成在制品的表面上以及制品中的高深宽比特征的壁上。保形的第一抗等离子体涂层具有大约0%的孔隙率和大约200纳米至大约1微米的厚度。随后执行电子束离子辅助沉积(EB‑IAD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、气溶胶沉积或等离子体喷涂中的一者,以形成第二抗等离子体层,该第二抗等离子体层覆盖所述表面的一区域处的该保形的第一抗等离子体层,但不覆盖该高深宽比特征的所述壁处的所述保形的第一抗等离子体层。
搜索关键词: 用于 部件 多层 等离子体 侵蚀 保护
【主权项】:
1.一种制品,包括:主体,所述主体包括表面和所述主体中的多个高深宽比特征,所述多个高深宽比特征具有约1:1至约300:1的深宽比;在所述表面上和所述多个高深宽比特征的壁上的保形的第一抗等离子体层,所述第一抗等离子体层具有大约0%的孔隙率和大约100纳米至大约1微米的厚度;以及第二抗等离子体层,所述第二抗等离子体层覆盖所述表面的区域处的所述保形的第一抗等离子体层但不覆盖所述多个高深宽比特征的所述壁处的所述保形的第一抗等离子体层,所述第二抗等离子体层具有小于1%的孔隙率和大约1‑10微米的厚度。
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